С начала второго квартала 2025 года на рынке DRAM наблюдается непрерывный рост цен, при этом в некоторых сегментах наблюдается дефицит предложения. «Некоторые модели подорожали почти на 50% за месяц!» — рассказал старший руководитель одного из отечественных производителей памяти. Недавно СМИ также сообщили, что Samsung повысил цены на DDR4 на 20%, а на DDR5 — примерно на 5% в начале этого месяца.
Несколько респондентов из отрасли заявили в интервью журналистам Caixin, что нынешние колебания рынка в первую очередь связаны со стратегической корректировкой мощностей со стороны таких ведущих производителей-оригинаторов, как Samsung и SK Hynix, вследствие растущего спроса на HBM и серверную DRAM, обусловленного развитием ИИ.
«В последнее время производители-оригинаторы последовательно выпускают уведомления о прекращении производства DDR4 (End of Life). Учитывая долгосрочный спрос на продукты D4 со стороны таких конечных потребителей, как серверы и ПК, компании нижнего звена цепочки поставок срочно наращивают запасы DDR4, что приводит к дефициту продукции DDR4 в ближайшей перспективе», — рассказала журналистам аналитик CFM Flash Market Ян Итин.
В этих условиях ожидается, что выгоду получат как производители-оригинаторы памяти, так и производители модулей с достаточными запасами. Что еще более примечательно, с учетом стратегической корректировки мощностей международными производителями и изменений в среде цепочки поставок отечественные производители памяти также получают структурные возможности.
Рост цен на DRAM: «лихорадка» ИИ и «контроль» со стороны производителей-оригинаторов
В начале 2025 года постепенно проявилась тенденция к ужесточению предложения на рынке DRAM.
Лю Мин, старший руководитель фабрики по производству модулей памяти в Шэньчжэне, поделился с журналистами Caixin ярким наблюдением за рынком в ходе недавнего обмена мнениями: «Цены на DRAM резко выросли в последнее время, особенно на некоторые модели DDR4, которые подорожали почти на 50% за месяц. Если вы спросите меня о цене сегодня в 4 юаня и подумаете, что это дорого, и решите подождать, то через несколько дней она может составить 4,5 юаня».
Она далее объяснила, что из-за переориентации мощностей трех крупных производителей-оригинаторов — Samsung, Hynix и Micron — на высокопроизводительную память уровень запасов нишевых продуктов снизился. Цены на нишевые продукты DRAM, представленные DDR4 и LPDDR4, начали расти с конца марта.
«Ожидается, что контрактные цены на ПК DRAM и мобильную DRAM во II квартале 2025 года вырастут на 3-8% и 0-5% соответственно. Это связано в основном с тем, что производители брендов активно корректируют объемы производства, чтобы избежать давления на себестоимость из-за возможных изменений политики, что приводит к росту спроса на закупки DRAM. В то же время Samsung и SK Hynix находятся в переходном периоде, в ходе которого производственные мощности отдаются приоритетно выпуску DRAM для серверов и HBM, что ограничивает объемы выпуска ПК DRAM и мобильной DRAM», — рассказал корреспондентам Caixin аналитик TrendForce Сюй Цзяюань.
Срочный рынок отреагировал быстрее. Согласно данным исследовательской компании DRAMeXchange, фиксированная цена сделки на универсальную DRAM DDR4 8 Гб (гигабайт), используемую в персональных компьютерах, составляет 1,65 доллара США, что на 22,22% больше, чем в апреле. Фиксированная цена сделки на 128 Гб MLC NAND-флеш-память, используемую в картах памяти и USB-накопителях, составляет 2,79 доллара США, что на 11,06% больше, чем в апреле.
Видно, что основной движущей силой этого раунда роста цен является революционное влияние ИИ на спрос на память. Yole Group в своем недавнем отчете прогнозирует, что выручка рынка HBM, в основном используемого для ИИ, вырастет с 17 млрд долларов США в 2024 году до 98 млрд долларов США в 2030 году, при среднегодовом темпе роста (CAGR) в 33%.
SK Hynix ожидает, что к 2025 году доля продаж HBM в общем объеме продаж памяти составит более 50%. Производственные мощности компании по выпуску HBM, как и у Micron Technology, уже полностью распределены на 2025 год. Micron Technology даже достигла выручки от продаж HBM, превысившей 1 млрд долларов США во II квартале 2025 финансового года, завершившегося 27 февраля, при этом выручка от продаж DRAM для центров обработки данных также утроилась в годовом исчислении. Благодаря высокой пропускной способности и низкой задержке HBM стал стандартным компонентом для серверов ИИ и высокопроизводительных вычислений. Например, графические процессоры NVIDIA серии B200 и H200 требуют HBM.
Высокий спрос на HBM значительно сокращает общий объем производства DRAM и повышает его рыночную стоимость. На этом фоне степень выгоды, которую получают различные сегменты отраслевой цепочки, значительно различается. Как Сюй Цзяюань, так и Ян Итин подчеркнули корреспондентам Caixin, что производители DRAM-оборудования (OEM) несомненно являются крупнейшими бенефициарами этого раунда роста цен.
Финансовые данные также подтверждают этот тезис. В первом квартале 2025 года SK Hynix достигла операционной прибыли в размере 7,44 трлн вон, а операционная рентабельность составила 42%. По данным Counterpoint Research, ее доля на рынке HBM в этом квартале достигла 70%, впервые обогнав Samsung и став лидером на рынке DRAM.
Micron Technology также достигла валовой маржи по не-GAAP в размере 37,9% во втором квартале 2025 финансового года благодаря высоким доходам от продаж HBM. Подразделение DS (Device Solutions) Samsung Electronics также достигло операционной прибыли в размере 1,1 трлн вон в первом квартале 2025 года.
В то же время производители модулей в целом сталкиваются со значительным операционным давлением. Сюй Цзяюань отметил, что из-за плохой передачи спроса со стороны конечных потребителей рост розничных цен на модули часто не может полностью покрыть рост закупочных цен на пластины. Ян Итин считает, что способность производителей получать прибыль после повышения цен в значительной степени зависит от их способности переварить ранее закупленные запасы по низким ценам и контролировать затраты.
Журналисты Caixin отметили, что Biwin Storage (688525.SH), ведущий производитель модулей памяти на A-рынке, сообщил о чистом убытке в размере 197 млн юаней в отчете о результатах деятельности за первый квартал 2025 года. Компания объяснила, что основные причины включают снижение цен на микросхемы памяти (ссылаясь на некоторые непопулярные модели или продукты с более высокими закупочными затратами на раннем этапе), увеличение резервов на обесценение запасов и более низкие, чем ожидалось, фактические объемы поставок модулей конечных продуктов ИИ. Jiangbo Long (301308.SZ) также сообщил о чистом убытке, причитающемся на акционеров публичных компаний, в размере 152 млн юаней за тот же период, указав в своем финансовом отчете, что переваривание запасов клиентами нижнего звена привело к снижению валовой маржи компании.
«Двигатель» HBM продолжает реветь: традиционный спрос и локализация добавляют переменных
Глядя вперед на вторую половину 2025 года и далее, рынок памяти представляет собой как возможности, так и неопределенности.
Сюй Цзяюань прогнозирует, что на фоне продолжающихся ограничений на объем выпуска битов оригинальными производителями контрактные цены на DRAM в третьем квартале 2025 года, вероятно, продолжат расти. Однако он также предупреждает, что если ценовое давление, вызванное корректировками политики на верхнем уровне, существенно повлияет на готовность конечных потребителей к покупкам, существует вероятность того, что рост цен на DRAM может не оправдать ожиданий.
С другой стороны, Ян Итин считает, что общая ситуация с предложением памяти в этом году относительно благополучная. С приближением пикового сезона поставок во второй половине года ожидается, что общий объем рыночных сделок станет более активным. Однако «изменчивая внешняя обстановка» и «фактические изменения спроса» остаются ключевыми переменными, влияющими на рыночные перспективы.
Кроме того, будучи важным компонентом в эпоху ИИ, спрос на HBM, как ожидается, останется высоким. В своем последнем прогнозе рынка TechInsights отмечает, что, благодаря высокому спросу на HBM и QLC NAND в приложениях ИИ, мировые продажи микросхем памяти, как ожидается, вырастут на 20% в 2025 году, достигнув 203,1 млрд долларов США.
Рынок NAND Flash также постепенно демонстрирует признаки восстановления. TrendForce прогнозирует, что под влиянием сочетания факторов, таких как продолжающееся сокращение производства со стороны производителей, постепенное истощение запасов в цепочке поставок смартфонов и растущий спрос на корпоративные твердотельные накопители (eSSD) со стороны серверов ИИ, цены на NAND Flash и SSD, как ожидается, вырастут на 10–15% в третьем квартале 2025 года и могут вырасти еще на 8–13% в четвертом квартале.
В нижней части цепочки поставок, в традиционном секторе потребительской электроники, ИИ-ПК и ИИ-смартфоны вызывают большой интерес в отрасли и рассматриваются как новые точки роста, которые могут изменить существующий рынок и стимулировать спрос на замену устройств.
Лю Мин считает, что широкое распространение ИИ-ПК в этом году и проникновение различных крупных моделей ИИ в конечные устройства принесут новый рост спроса на память.
Например, в секторе ИИ-очков, который в этом году вызывает значительный интерес, многие отечественные производители памяти добились многообещающего прогресса. Как стало известно корреспонденту Cailian Press из отрасли, встроенная микросхема памяти ePOP от Kwinon Semiconductor была успешно интегрирована в устройства, став важным решением для легкого дизайна ИИ-очков. Biwin Storage недавно заявила на брифинге по итогам работы, что ожидает, что ее доход от продуктов для ИИ-очков вырастет более чем на 500% в годовом исчислении в 2025 году.
Однако последние данные TrendForce показывают, что общие ожидания роста поставок ноутбуков в 2025 году были пересмотрены в сторону понижения. Сможет ли концепция ИИ быстро превратиться в масштабный спрос со стороны конечных пользователей, еще предстоит проверить на рынке.
В период промышленных преобразований «локализация» принесла структурные возможности для развития отечественным производителям памяти в Китае. В беседе с журналистом Cailian Press Лю Мин выразил оптимизм по этому поводу: «В 2023 году доля отечественных микросхем памяти на мировом рынке составляла менее 7%, но в 2024 году она выросла примерно до 12%, что свидетельствует о заметных темпах роста. «Мы ожидаем, что доля отечественных микросхем продолжит расти в этом году».
Она также проанализировала, что крупные международные производители, такие как Micron и Samsung, постепенно выходят из рыночной конкуренции за определенные средне- и низкокачественные или специализированные виды продукции, что объективно предоставляет ценное рыночное пространство и возможности для привлечения клиентов для местных производителей. «Местные производители микросхем памяти, такие как YMTC и CXMT, продолжают добиваться прорывов в технологиях продукции и расширении рынка. YMTC уже наладила массовое производство 128-слойной NAND-флеш-памяти и поставила образцы 192-слойной 3D NAND-флеш-памяти нескольким клиентам. CXMT также добилась прогресса в области DRAM, заложив основу для развития отечественной отрасли DRAM. Отечественные микросхемы памяти постоянно сокращают технологический разрыв с ведущими международными производителями, имея значительный потенциал для достижения технологического равенства и замещения на рынке».
«В то же время после нескольких лет развития рынка и изменений в торговой среде значительно возросла готовность и желание клиентов использовать отечественные микросхемы памяти», — добавил Лю Мин.
Руководитель другого отечественного производителя микросхем памяти также заявил в недавнем интервью журналисту Cailian Press, что период валидации для выхода на высокотехнологичные направления, такие как автомобильная промышленность, ранее часто занимал 2-3 года, но сейчас это время значительно сократилось. «Нам уже обращались производители с предложениями о сотрудничестве еще до запуска наших новых продуктов».
GigaDevice (603986.SH) также упомянул в своем годовом отчете за 2024 год, что постепенный выход крупных международных производителей с нишевого рынка DRAM, как ожидается, принесет возможности для отечественных производителей, глубоко задействованных в этой области, увеличить свою долю рынка.
Стоит отметить, что рост отечественных микросхем памяти не обходится без вызовов. Местные предприятия по-прежнему сталкиваются с относительно значительным разрывом в технологиях и патентными барьерами по сравнению с международными гигантами в таких передовых технологических областях, как HBM и самые современные процессы DRAM.
Кроме того, в настоящее время основное внимание большинства производителей модулей памяти, торгующихся на фондовой бирже в Китае, по-прежнему сосредоточено на рынке потребительской электроники, и их результаты значительно зависят от циклических колебаний этого рынка и подвержены жесткой ценовой конкуренции. Самоконтролируемая способность цепочки поставок, в частности стабильное приобретение ключевого оборудования, материалов и высококачественных пластин на начальном этапе производства, остается важным узким местом, ограничивающим развитие некоторых местных предприятий.
(Лю Мин, респондент в статье, является псевдонимом.)
