Silicio Metálico Reciclado (#2205) Precio, EUR/tonelada
Si≥99,55%; Fe≤0,2%, Al≤0,2%, Ca≤0,05%
Incluye 13% de IVA
Precio en fábrica
GB/T 2881-2014 «Silicio Industrial»
IVA excluido
1,037.79
EUR/tonelada
IVA incluido
1,172.71
EUR/tonelada
Original
9,750
CNY/tonelada
dic 12,2025
Hora de actualización: 10:15 GMT+8
Fecha de inicio: 2023-07-25
Fecha de finalización: ~
Rango de precios:1,032.47 ~ 1,043.12
Gráficos de precios
1 d
1 w
1 m
1 mes
3 meses
6 meses
1 año
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Si≥99,3%; Fe≤0,3%, Al≤0,3%, Ca≤0,1%
Sustrato de carburo de silicio monocristalino semi-aislado de 4 pulgadas, clase D, EUR/pieza
Orientación cristalina de 4 pulgadas 0001 4H-SiC, superficie pulida a doble cara con rugosidad inferior a 0,2 nm, grosor de 500 ± 25 μm, cara frontal de Si, tipo D
Sustrato de carburo de silicio monocristalino semi-aislado de 6 pulgadas Clase D, EUR/pieza
Orientación cristalina de 6 pulgadas 0001 4H-SiC superficie pulida a doble cara con rugosidad inferior a 0,2 nm espesor 500+- 25 μ M Cara frontal de Si tipo D
Sustrato de carburo de silicio monocristalino semi-aislado de 8 pulgadas Clase D, EUR/pieza
Orientación cristalina de 8 pulgadas 0001 4H-SiC, superficie pulida a doble cara, rugosidad menor a 0,2 nm, grosor de 500 ± 25 μm, cara frontal de silicio tipo D
Sustrato de carburo de silicio monocristalino de alta conductividad de clase D de 4 pulgadas, EUR/pieza
Orientación cristalina de 4 pulgadas 0001 4H-SiC superficie pulida a doble cara con rugosidad inferior a 0.2nm, grosor de 350+- 25 μm, dopado con N, resistividad de 0.0015-0.0025 Ω·cm, plano frontal Si chip D
Sustrato de carburo de silicio monocristalino de 6 pulgadas de alta conductividad Clase D, EUR/pieza
Orientación cristalina de 6 pulgadas 0001 4H-SiC, superficie pulida a doble cara con rugosidad inferior a 0,2 nm, grosor de 350+- 25 μm, dopado con N, resistividad de 0,0015-0,0025 Ω·cm, plano frontal de Si chip D
Sustrato de carburo de silicio monocristalino semi-aislado de 4 pulgadas Clase P, EUR/pieza
Orientación cristalina de 4 pulgadas 0001 4H-SiC superficie pulida a doble cara con rugosidad inferior a 0,2 nm espesor 500+- 25 μm Cara frontal Si tipo P
Sustrato de carburo de silicio monocristalino semi-aislado de 6 pulgadas Clase P, EUR/pieza
Orientación cristalina de 6 pulgadas 0001 4H-SiC superficie pulida en ambas caras con rugosidad inferior a 0,2 nm, grosor de 500 ± 25 μm, cara frontal Si-face P slice
Sustrato de carburo de silicio monocristalino de 8 pulgadas semi-aislado Clase P, EUR/pieza
Orientación cristalina de 8 pulgadas 0001 4H-SiC superficie pulida a doble cara con rugosidad menor a 0,2 nm espesor 500+- 25 μm Cara frontal Si tipo P
