Silicio Metálico Reciclado (#331) Precio, EUR/mt
Si≥99,3%; Fe≤0,3%, Al≤0,3%, Ca≤0,1%
Incluye 13% de IVA
Precio de recogida en fábrica
GB/T 2881-2014《Silicio Industrial》
IVA excluido
1,027.15
EUR/mt
IVA incluido
1,160.68
EUR/mt
Original
9,650
CNY/mt
dic 12,2025
Hora de actualización: 10:15 GMT+8
Fecha de inicio: 2023-07-25
Fecha de finalización: ~
Rango de precios:1,021.83 ~ 1,032.47
Gráficos de precios
1 d
1 w
1 m
1 mes
3 meses
6 meses
1 año
Datos históricos de precios de SMM
Inicia sesión o únete para ver precios históricos y promedios
INICIAR SESIÓN
REGÍSTRATE
Te puede interesar
Silicio Metálico Reciclado (#2205), EUR/tonelada
Si≥99,55%; Fe≤0,2%, Al≤0,2%, Ca≤0,05%
Silicio Metálico Reciclado (#3303), EUR/mt
Si≥99,37%; Fe≤0,3%, Al≤0,3%, Ca≤0,03%
Sustrato de carburo de silicio monocristalino semi-aislado de 4 pulgadas, clase D, EUR/pieza
Orientación cristalina de 4 pulgadas 0001 4H-SiC, superficie pulida a doble cara con rugosidad inferior a 0,2 nm, grosor de 500 ± 25 μm, cara frontal de Si, tipo D
Sustrato de carburo de silicio monocristalino semi-aislado de 6 pulgadas Clase D, EUR/pieza
Orientación cristalina de 6 pulgadas 0001 4H-SiC superficie pulida a doble cara con rugosidad inferior a 0,2 nm espesor 500+- 25 μ M Cara frontal de Si tipo D
Sustrato de carburo de silicio monocristalino semi-aislado de 8 pulgadas Clase D, EUR/pieza
Orientación cristalina de 8 pulgadas 0001 4H-SiC, superficie pulida a doble cara, rugosidad menor a 0,2 nm, grosor de 500 ± 25 μm, cara frontal de silicio tipo D
Sustrato de carburo de silicio monocristalino de alta conductividad de clase D de 4 pulgadas, EUR/pieza
Orientación cristalina de 4 pulgadas 0001 4H-SiC superficie pulida a doble cara con rugosidad inferior a 0.2nm, grosor de 350+- 25 μm, dopado con N, resistividad de 0.0015-0.0025 Ω·cm, plano frontal Si chip D
Sustrato de carburo de silicio monocristalino de 6 pulgadas de alta conductividad Clase D, EUR/pieza
Orientación cristalina de 6 pulgadas 0001 4H-SiC, superficie pulida a doble cara con rugosidad inferior a 0,2 nm, grosor de 350+- 25 μm, dopado con N, resistividad de 0,0015-0,0025 Ω·cm, plano frontal de Si chip D
Sustrato de carburo de silicio monocristalino semi-aislado de 4 pulgadas Clase P, EUR/pieza
Orientación cristalina de 4 pulgadas 0001 4H-SiC superficie pulida a doble cara con rugosidad inferior a 0,2 nm espesor 500+- 25 μm Cara frontal Si tipo P
Sustrato de carburo de silicio monocristalino semi-aislado de 6 pulgadas Clase P, EUR/pieza
Orientación cristalina de 6 pulgadas 0001 4H-SiC superficie pulida en ambas caras con rugosidad inferior a 0,2 nm, grosor de 500 ± 25 μm, cara frontal Si-face P slice
Sustrato de carburo de silicio monocristalino de 8 pulgadas semi-aislado Clase P, EUR/pieza
Orientación cristalina de 8 pulgadas 0001 4H-SiC superficie pulida a doble cara con rugosidad menor a 0,2 nm espesor 500+- 25 μm Cara frontal Si tipo P
