Se espera que los precios locales se publiquen pronto, estén atentos.
Entendido
+86 021 5155-0306
Idioma:  
switch

Sustrato de carburo de silicio monocristalino de 6 pulgadas de alta conductividad Clase D Precio, EUR/pieza

Orientación cristalina de 6 pulgadas 0001 4H-SiC, superficie pulida a doble cara con rugosidad inferior a 0,2 nm, grosor de 350+- 25 μm, dopado con N, resistividad de 0,0015-0,0025 Ω·cm, plano frontal de Si chip D
Incluye 13% de IVA
Precio de fábrica
Estándar empresarial
Marca:
Nanjing Muke Nanotechnology, Beijing Tebo Wande, etc.
IVA excluido
468.34
EUR/pieza
IVA incluido
529.22
EUR/pieza
Original
4,400
CNY/pieza
time
dic 12,2025
Hora de actualización: 11:30 GMT+8
Fecha de inicio: 2023-03-16
Fecha de finalización: ~
Rango de precios:425.76 ~ 510.91

Gráficos de precios

1 d
1 w
1 m
1 mes
3 meses
6 meses
1 año

Datos históricos de precios de SMM

Inicia sesión o únete para ver precios históricos y promedios

Te puede interesar

Sustrato de carburo de silicio monocristalino semi-aislado de 4 pulgadas, clase D, EUR/pieza
Orientación cristalina de 4 pulgadas 0001 4H-SiC, superficie pulida a doble cara con rugosidad inferior a 0,2 nm, grosor de 500 ± 25 μm, cara frontal de Si, tipo D
Sustrato de carburo de silicio monocristalino semi-aislado de 6 pulgadas Clase D, EUR/pieza
Orientación cristalina de 6 pulgadas 0001 4H-SiC superficie pulida a doble cara con rugosidad inferior a 0,2 nm espesor 500+- 25 μ M Cara frontal de Si tipo D
Sustrato de carburo de silicio monocristalino semi-aislado de 8 pulgadas Clase D, EUR/pieza
Orientación cristalina de 8 pulgadas 0001 4H-SiC, superficie pulida a doble cara, rugosidad menor a 0,2 nm, grosor de 500 ± 25 μm, cara frontal de silicio tipo D
Sustrato de carburo de silicio monocristalino de alta conductividad de clase D de 4 pulgadas, EUR/pieza
Orientación cristalina de 4 pulgadas 0001 4H-SiC superficie pulida a doble cara con rugosidad inferior a 0.2nm, grosor de 350+- 25 μm, dopado con N, resistividad de 0.0015-0.0025 Ω·cm, plano frontal Si chip D
Sustrato de carburo de silicio monocristalino semi-aislado de 4 pulgadas Clase P, EUR/pieza
Orientación cristalina de 4 pulgadas 0001 4H-SiC superficie pulida a doble cara con rugosidad inferior a 0,2 nm espesor 500+- 25 μm Cara frontal Si tipo P
Sustrato de carburo de silicio monocristalino semi-aislado de 6 pulgadas Clase P, EUR/pieza
Orientación cristalina de 6 pulgadas 0001 4H-SiC superficie pulida en ambas caras con rugosidad inferior a 0,2 nm, grosor de 500 ± 25 μm, cara frontal Si-face P slice
Sustrato de carburo de silicio monocristalino de 8 pulgadas semi-aislado Clase P, EUR/pieza
Orientación cristalina de 8 pulgadas 0001 4H-SiC superficie pulida a doble cara con rugosidad menor a 0,2 nm espesor 500+- 25 μm Cara frontal Si tipo P
Sustrato de carburo de silicio monocristalino de alta conductividad Clase P de 4 pulgadas, EUR/pieza
Orientación cristalina de 4 pulgadas 0001 4H-SiC superficie pulida en ambas caras con rugosidad inferior a 0.2nm, grosor de 350+- 25 μM, dopado con N, resistividad de 0.0015-0.0025 Ω. cm, plano frontal de Si chip P
Sustrato de carburo de silicio monocristalino de 6 pulgadas de alta conductividad Clase P, EUR/pieza
Orientación cristalina de 6 pulgadas 0001 4H-SiC, superficie pulida a doble cara, rugosidad inferior a 0,2 nm, grosor de 350 ± 25 μm, dopado con N, resistividad de 0,0015-0,0025 Ω·cm, chip P en plano Si frontal
Silicio de alta pureza de Mongolia Interior, EUR/tonelada
(SiO2≥99%, Fe203≤0.1%, Ca0≤0.1%, Al203≤0.1%)
Chat en vivo vía WhatsApp
Ayúdanos a conocer tus opiniones en 1 minuto.