Trong các phương pháp hàn truyền thống, việc làm mỏng thêm các dải hàn tấm silicon có nguy cơ gây gãy lưới, và việc làm mỏng thêm trọng lượng màng bọc gặp nhiều thách thức. Hiện tại, chi phí màng da khoảng 3 nhân dân tệ/m², nhưng vẫn cần kết hợp với màng bọc, vốn có chi phí cao. Với sản xuất hàng loạt và tối ưu hóa công nghệ trong tương lai, chi phí dự kiến sẽ giảm thêm. Màng bọc kết hợp hiện đã được giảm xuống còn 200g/m² và vẫn đang trong giai đoạn thử nghiệm, với một số mô-đun mẫu đang được các nhà sản xuất linh kiện kiểm tra. Màng một mảnh, được ép đùn trong một quy trình duy nhất, có chi phí thấp hơn so với sự kết hợp giữa màng da và màng bọc. Hiện tại, First, Betterial, Sveck và Lushan đang dẫn đầu trong nghiên cứu và phát triển. Các sản phẩm dòng CH(15) và CH(E) của First sử dụng EVA làm nguyên liệu và áp dụng các giải pháp cán trực tiếp hoặc phân phối, phù hợp với các mô-đun Topcon CF15(E)/(H) và các mô-đun HJT CF15(H). Màng tích hợp keo nặng 300-500g/m², và G400 EPE đồng ép đùn phù hợp với HJT. Màng đồng ép đùn T400EPE phù hợp với bọc tích hợp Topcon. Cả hai phương pháp phân phối và cán đều không sử dụng chất trợ hàn, tiết kiệm thời gian bảo trì thiết bị và chi phí chất trợ hàn.
So với các phương pháp hàn truyền thống, công nghệ 0BB mang lại lợi thế hiệu suất 3-5W. Trong tương lai, bằng cách tối ưu hóa vật liệu màng bọc, dự kiến sẽ cải thiện thêm 5W hiệu suất. Trong phát triển heterojunction (HJT), công nghệ kết nối đồng không chỉ hỗ trợ quy trình không sử dụng bạc mà còn bảo vệ tấm silicon thông qua xử lý nhẹ nhàng, tăng cường khả năng tương thích với các tấm mỏng 0BB. Trong tương lai, sự kết hợp giữa kết nối đồng, tấm silicon mỏng và kết nối 0BB sẽ trở thành hướng công nghệ quan trọng cho sự phát triển của heterojunction.
