Logam Silikon Daur Ulang (#331) Harga, 100IDR/mt
Si≥99.3%；Fe≤0.3%，Al≤0.3%，Ca≤0.1%
13% VAT termasuk
Harga penjemputan pabrik
GB/T 2881-2014
Tidak termasuk PPN
201,126.31
100IDR/mt
Termasuk PPN
227,272.73
100IDR/mt
Asli
9,750
CNY/mt
Des 05,2025
Perbarui Waktu: 10:15 GMT+8
Tanggal Mulai: 2023-07-25
Tanggal Berakhir: ~
Rentang Harga:200,094.89 ~ 202,157.72
Grafik Harga
1 H
1 M
1 B
1 Bulan
3 Bulan
6 Bulan
1 Tahun
Data Historis Harga SMM
Masuk atau bergabung untuk melihat harga dan rata-rata historis.
Masuk
DAFTAR
Anda mungkin tertarik
Logam Silikon Daur Ulang (#2205), 100IDR/mt
Si≥99.55%；Fe≤0.2%，Al≤0.2%，Ca≤0.05%
Logam Silikon Daur Ulang (#3303), 100IDR/mt
Si≥99.37%；Fe≤0.3%，Al≤0.3%，Ca≤0.03%
Substrat Karbida Silikon Kristal Tunggal 4 inci Semi-Isolasi Kelas D, 100IDR/piece
4 inci orientasi kristal 0001 4H-SiC permukaan dipoles dua sisi kekasaran kurang dari 0,2nm ketebalan 500+- 25 μ M depan Si bidang D irisan
Substrat Karbida Silikon Kristal Tunggal 6 inci Semi-Isolasi Kelas D, 100IDR/piece
6 inci orientasi kristal 0001 4H-SiC permukaan dipoles dua sisi kekasaran kurang dari 0,2nm ketebalan 500+- 25 μ M depan Si bidang D irisan
Substrat Karbida Silikon Kristal Tunggal 8 inci Semi-Isolasi Kelas D, 100IDR/piece
8 inci orientasi kristal 0001 4H-SiC permukaan dipoles dua sisi kekasaran kurang dari 0,2nm ketebalan 500+- 25 μ M depan Si bidang D irisan
Substrat Karbida Silikon Kristal Tunggal 4 inci Konduktivitas Tinggi Kelas D, 100IDR/piece
4 inci orientasi kristal 0001 4H-SiC permukaan dipoles dua sisi kekasaran kurang dari 0,2nm ketebalan 350+- 25 μ M N didoping resistivitas 0,0015-0,0025 Ω. cm depan Si bidang D chip
Substrat Karbida Silikon Kristal Tunggal 6 inci Konduktivitas Tinggi Kelas D, 100IDR/piece
6 inci orientasi kristal 0001 4H-SiC permukaan dipoles dua sisi kekasaran kurang dari 0,2nm ketebalan 350+- 25 μ M N didoping resistivitas 0,0015-0,0025 Ω. cm depan Si bidang D chip
Substrat Karbida Silikon Kristal Tunggal 4 inci Semi-Isolasi Kelas P, 100IDR/piece
4 inci orientasi kristal 0001 4H-SiC permukaan dipoles dua sisi kekasaran kurang dari 0,2nm ketebalan 500+- 25 μ M depan Si bidang P irisan
Substrat Karbida Silikon Kristal Tunggal 6 inci Semi-Isolasi Kelas P, 100IDR/piece
6 inci orientasi kristal 0001 4H-SiC permukaan dipoles dua sisi kekasaran kurang dari 0,2nm ketebalan 500+- 25 μ M depan Si bidang P irisan
Substrat Karbida Silikon Kristal Tunggal 8 inci Semi-Isolasi Kelas P, 100IDR/piece
8 inci orientasi kristal 0001 4H-SiC permukaan dipoles dua sisi kekasaran kurang dari 0,2nm ketebalan 500+- 25 μ M depan Si bidang P irisan
